巨磁电阻效应(GMR,giant magnetoresistance)指的是,在低磁场下磁电阻的变化可以超过铜线电阻值的数倍,即磁电阻比为几倍甚至数十倍。这种现象在普通金属中不易观察到,在某些合金材料(如Ni80Fe20/Co90Fe10)中可以观察到,它们被称为GMR材料。
GMR 材料由于具有非常灵敏的磁场响应,特别适用于磁场传感器和存储器系统等领域,是研究磁计和磁存储器的重要材料之一。
1998年,阿尔伯特·弗尔-巴赫和彼得·格鲁恩伯格因为发现巨磁电阻效应而获得了诺贝尔物理学奖。
巨磁电阻效应(GMR,giant magnetoresistance)指的是,在低磁场下磁电阻的变化可以超过铜线电阻值的数倍,即磁电阻比为几倍甚至数十倍。这种现象在普通金属中不易观察到,在某些合金材料(如Ni80Fe20/Co90Fe10)中可以观察到,它们被称为GMR材料。
GMR 材料由于具有非常灵敏的磁场响应,特别适用于磁场传感器和存储器系统等领域,是研究磁计和磁存储器的重要材料之一。
1998年,阿尔伯特·弗尔-巴赫和彼得·格鲁恩伯格因为发现巨磁电阻效应而获得了诺贝尔物理学奖。