场效应晶体管（Field-Effect Transistor，以下简写为FET）是半导体器件中的一种，由于其具有低静态功耗、高输入阻抗、噪声低、速度快等优点，因此在电子学领域得到了广泛的应用和研究。
FET大致可以分为三种类型，分别为金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、金属半导体场效应晶体管（MESFET）和绝缘体，有源半导体场效应晶体管（JFET）。
其中，MOSFET是最常用的一种。随着微电子技术的不断发展，MOSFET又进一步分为多种类型，如CMOS、DMOS等，并且应用范围也逐渐扩大。目前，它已被广泛应用于数字电路、模拟电路、功率电路、光电子学、生物医学等领域。
同时，FET也在不断地发展壮大。例如，针对功率器件，采用4H-SiC开发的MOSFET，由于其具有大功率、耐压、高温、高速等特性，可以被应用于飞行器、航天器、深海勘探等领域。
随着电子学的不断发展，场效应晶体管作为半导体器件中的佼佼者，其应用领域也在不断地扩大。
